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熱門關(guān)鍵詞： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

AO4611

概述

MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC

廠商

參數(shù)

包裝:帶卷 (TR)可替代的包裝,系列:-,FET 類型:N 和 P 溝道,FET 功能:邏輯電平門,漏源極電壓 (Vdss):60V,電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）:6.3A，4.9A,不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6.3A，10V,不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):58nC @ 10V,不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2300pF @ 30V,功率 - 最大值:2W,安裝類型:表面貼裝,封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）,供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC

引腳圖與功能

暫無AO4611的引腳圖與功能信息

工作原理

暫無AO4611的工作原理信息

替代產(chǎn)品

暫無AO4611的替代產(chǎn)品信息

PDF資料

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