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恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出業(yè)內首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝。15種采用無引腳、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封裝的全新產(chǎn)品即將上市，它們的集電極電壓(VCEO)為30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

這些超小型雙晶體管的集電極電流(IC)最大值可達2 A，能夠處理高達3 A的峰值電流。同時，它們的效率極高，具有低至60 mV的超低飽和電壓 (PBSS4230PANP)，使其針對移動應用具有更低的功耗和更長的電池壽命。采用DFN2020-6封裝的全新雙晶體管非常適合用于負載和電源開關、智能手機和平板電腦等便攜式應用中的電源管理和充電電路、背光裝置以及其他空間受限型應用。恩智浦采用DFN2020封裝的所有全新低VCEsat雙晶體管產(chǎn)品均符合AEC-Q101汽車標準。

恩智浦推出業(yè)內首款低VCEsat雙晶體管

DFN2020-6比標準SO8封裝小8倍，具有出色的熱功耗能力(Ptot = 1 W)。具有熱沉的DFN封裝僅0.6mm高，因此可替代SO8或SOT457等許多尺寸較大的晶體管封裝。全新的DFN2020封裝類產(chǎn)品豐富了恩智浦的低VCEsat晶體管產(chǎn)品組合，目前已包括36款采用無引腳和標準SMD封裝的雙晶體管，以及250多種高達500 V和7 A的單晶體管。