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鰭式電晶體FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術，并已將開戰(zhàn)時刻設定于2014?2015年；同時也各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星等IDM的規(guī)模優(yōu)勢，讓整個晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
各大晶圓代工業(yè)者FinFET發(fā)展情況
鰭式電晶體(FinFET)技術可有效控管電晶體閘極漏電流問題，并提高電子移動率，因而能大幅提升晶片運算效能同時降低功耗，現已成為全球晶圓廠邁向下一個制程節(jié)點的唯一途徑。一線大廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米FinFET量產腳步，搶先圈地市場商機。
14nm 制程 finfet 芯片
其中，IBM授權技術陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結合20納米后段金屬導線(BEOL)制程的方式達成試量產目標；而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。
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