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QS6M3TR

概述

MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6

廠商

參數(shù)

包裝:帶卷 (TR)可替代的包裝,系列:-,FET 類型:N 和 P 溝道,FET 功能:邏輯電平門,漏源極電壓 (Vdss):30V，20V,電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）:1.5A,不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 1.5A，4.5V,不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.6nC @ 4.5V,不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):80pF @ 10V,功率 - 最大值:1.25W,安裝類型:表面貼裝,封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6,供應商器件封裝:TSMT6

引腳圖與功能

暫無QS6M3TR的引腳圖與功能信息

工作原理

暫無QS6M3TR的工作原理信息

替代產(chǎn)品

暫無QS6M3TR的替代產(chǎn)品信息

PDF資料

暫無QS6M3TR的PDF資料信息

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