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熱門關(guān)鍵詞： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

EPC2010

概述

TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

廠商

EPC

參數(shù)

包裝:帶卷 (TR)可替代的包裝,系列:eGaN®,FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵,FET 功能:邏輯電平門,漏源極電壓 (Vdss):200V,電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）:12A,不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V,不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 3mA,不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):5nC @ 5V,不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):480pF @ 100V,功率 - 最大值:-,安裝類型:表面貼裝,封裝/外殼:7-SMD，凸引線,供應(yīng)商器件封裝:7-LGA（3.6x1.6）

引腳圖與功能

暫無EPC2010的引腳圖與功能信息

工作原理

暫無EPC2010的工作原理信息

替代產(chǎn)品

暫無EPC2010的替代產(chǎn)品信息

PDF資料

暫無EPC2010的PDF資料信息

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