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產(chǎn)品種類: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 280 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 2 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 42 nC
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Dual Drain
下降時(shí)間: 32 ns
Pd-功率耗散: 90 W
上升時(shí)間: 9 ns
系列: N-channel MDmesh
工廠包裝數(shù)量: 1000
晶體管類型: N-Channel
類型: MDmesh II Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns

單位重量: 330 mg 

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鄭小姐

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