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| FET 類型 | P 通道 |
|---|---|
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 30V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 6A（Ta） |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 45 毫歐 @ 6A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 495pF @ 15V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝 | 8-SOIC |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
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